Samsung SSD interno 990 1TB MZ-V9V1T0BW
- Capacità 1.000 GB
- Interfaccia PCIe Gen 4.0 x 4 NVMe
- Formato 2.280 ''
- Velocità Scrittura 6.450 MB/s
- Velocità Lettura 7.150 MB/s
- Classe Energetica B
a partire da: 15,89 € info
37283 opinioni Descrizione
SATA Samsung SSD interno 990 1TB MZ-V9V1T0BW MZ-V9V1T0BW990. Capacità SSD: 1 TB, Dimensione SSD: M.2, Velocità di lettura: 7150 MB/s, Velocità di scrittura: 6450 MB/s, Componente per: PC
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Scheda Tecnica
Caratteristiche
Capacità SSD 1 TB
Dimensione SSD M.2
Interfaccia PCI Express 4.0
NVMe Sì
Tipo memoria V-NAND
Componente per PC
criptaggio hardware Sì
Versione di NVMe 2.0
Algoritmi di sicurezza supportati 256-bit AES, TCG Opal 2.0
Dimensioni dell'unità SSD M.2 2280 (22 x 80 mm)
Velocità di lettura 7150 MB/s
Velocità di scrittura 6450 MB/s
Lettura casuale (4KB) 700000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Scrittura casuale (4KB) 1100000 IOPS (Operazioni di input/output per secondo)
Linee dati dell'interfaccia PCI Express x4
Supporto di DevSIp (standby del dispositivo) Sì
Revisione PCI Express CEM 4.0
Supporto S.M.A.R.T. Sì
Supporto TRIM Sì
Tempo medio tra guasti (MTBF) 1500000 h
Gestione energetica
Tensione di esercizio 3, 3 V
Consumo di energia (in lettura) 4 W
Consumo di energia (in scrittura) 3, 7 W
Consumo energetico (inattivo) 0, 055 W
Consumo di corrente DevSlp (modalità di attesa) 3 mW
Dimensioni e peso
Larghezza 80, 2 mm
Profondità 2, 38 mm
Altezza 22, 1 mm
Dati su imballaggio
Tipo di imballo Scatola
Condizioni ambientali
Intervallo temperatura di funzionamento 0 - 70 °C
Shock di funzionamento 1500 G
